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IXYS IXYA8N250CHV
IGBT
Производитель Модель :IXYA8N250CHV
Производитель :IXYS
Dasenic :IXYA8N250CHV-DS
Документация :
IXYA8N250CHV Документация
IXYA8N250CHV ДокументацияПользователи :
Описание : IGBT
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 10.3230 | $ 10.32 |
| 10+ | $ 9.9900 | $ 99.9 |
| 25+ | $ 9.9180 | $ 247.95 |
| 50+ | $ 6.3090 | $ 315.45 |
| 100+ | $ 6.0030 | $ 600.3 |
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IXYA8N250CHV information
IXYS IXYA8N250CHV технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:280 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
- 逆回復時間 (trr):5 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):29 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):2500 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:4V @ 15V, 8A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):70 A
- エネルギーの切り替え:2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
- ゲートチャージ:45 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:11ns/180ns
- テスト条件:1250V, 8A, 15Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYA8N250CHV предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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