Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $2.5560

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS DSI30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
part number has RoHS
Производитель Модель :DSI30-12A
Производитель :IXYS
Dasenic :DSI30-12A-DS
Документация :pdf download DSI30-12A Документация
Пользователи :
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 2.5560$ 2.56
10+$ 1.4130$ 14.13
100+$ 1.4040$ 140.4
500+$ 1.0710$ 535.5
1000+$ 1.0080$ 1008
Запасы: 9453
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.556
Общая стоимость :$ 2.56
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

DSI30-12A information

  • IXYS DSI30-12A технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-2
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):30A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.29 V @ 30 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:40 µA @ 1200 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:10pF @ 400V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DSI30-12A предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ