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Infineon Technologies SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIE
Производитель Модель :SISC29N20DX1SA1
Производитель :Infineon Technologies
Dasenic :SISC29N20DX1SA1-DS
Документация :
SISC29N20DX1SA1 Документация
SISC29N20DX1SA1 ДокументацияПользователи :
Описание : TRANSISTOR P-CH BARE DIE
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 0.9080 | $ 0.91 |
| 10000+ | $ 0.8546 | $ 8546 |
| 20000+ | $ 0.8072 | $ 16144 |
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SISC29N20DX1SA1 information
Infineon Technologies SISC29N20DX1SA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- テクノロジー:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:2 (1 Year,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- HTS 米国:0000.00.0000
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SISC29N20DX1SA1 предоставлено Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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