Обратная связь
Русский

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $0.5033

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Infineon Technologies IPD079N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
part number has RoHS
Производитель Модель :IPD079N06L3GATMA1
Производитель :Infineon Technologies
Dasenic :IPD079N06L3GATMA1-DS
Пользователи :
Описание : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 0.5033$ 5.03
2500+$ 0.2796$ 699
5000+$ 0.2772$ 1386
10000+$ 0.2725$ 2725
15000+$ 0.2677$ 4015.5
Запасы: 48809
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.5033
Общая стоимость :$ 0.50
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IPD079N06L3GATMA1 information

  • Infineon Technologies IPD079N06L3GATMA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Статус продукта:Active
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип крепления:Surface Mount
  • Упаковка / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-311
  • Рассеиваемая мощность (макс.):79W (Tc)
  • Тип полевого транзистора:N-Channel
  • Особенность полевого транзистора:-
  • Напряжение сток-исток ( Vdss):60 V
  • Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:50A (Tc)
  • Rds On (макс.) @ Id, Vgs:7.9mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 34µA
  • Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:29 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:4900 pF @ 30 V
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
  • Vgs (макс.):±20V
  • Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
  • Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • Регламент REACH:REACH Unaffected
  • Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
  • ХТС США:8541.29.0095
  • Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPD079N06L3GATMA1 предоставлено Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ