Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.2657
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Goford Semiconductor G50N03D5
N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Производитель Модель :G50N03D5
Производитель :Goford Semiconductor
Dasenic :G50N03D5-DS
Документация :
G50N03D5 Документация
G50N03D5 ДокументацияПользователи :
Описание : N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 0.2657 | $ 2.66 |
| 5000+ | $ 0.1476 | $ 738 |
| 15000+ | $ 0.1359 | $ 2038.5 |
| 30000+ | $ 0.1224 | $ 3672 |
Запасы: 18000
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.2657
Общая стоимость :$ 0.27
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
G50N03D5 information
Goford Semiconductor G50N03D5 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (4.9x5.75)
- 消費電力（最大）:83W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.5mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:38.4 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1784 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G50N03D5 предоставлено Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
