Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.2479
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Goford Semiconductor G4616
N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)
Производитель Модель :G4616
Производитель :Goford Semiconductor
Dasenic :G4616-DS
Документация :
G4616 Документация
G4616 ДокументацияПользователи :
Описание : N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 0.2479 | $ 2.48 |
| 4000+ | $ 0.1377 | $ 550.8 |
| 16000+ | $ 0.1269 | $ 2030.4 |
| 32000+ | $ 0.1143 | $ 3657.6 |
Запасы: 24000
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.2479
Общая стоимость :$ 0.25
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
G4616 information
Goford Semiconductor G4616 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2W (Tc), 2.8W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
- F E Tタイプ:N and P-Channel Complementary
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc), 7A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12nC @ 10V, 13nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:415pF @ 20V, 520pF @ 20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G4616 предоставлено Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
