Изображения предназначены только для справки.
1 : $404.6200
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MURTA60020
DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Производитель Модель :MURTA60020
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MURTA60020-DS
Документация :
MURTA60020 Документация
MURTA60020 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 12+ | $ 404.6200 | $ 4855.44 |
| 24+ | $ 385.9400 | $ 9262.56 |
| 48+ | $ 368.9200 | $ 17708.16 |
Запасы: 712
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 404.62
Общая стоимость :$ 404.62
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MURTA60020 information
GeneSiC Semiconductor MURTA60020 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Three Tower
- サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.3 V @ 300 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 50 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):300A
- 逆回復時間 (trr):200 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MURTA60020 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
