Изображения предназначены только для справки.
1 : $230.7800
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBRT30035R
DIODE MODULE 35V 150A 3TOWER
Производитель Модель :MBRT30035R
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBRT30035R-DS
Документация :
MBRT30035R Документация
MBRT30035R ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE MODULE 35V 150A 3TOWER
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 20+ | $ 230.7800 | $ 4615.6 |
| 40+ | $ 220.1200 | $ 8804.8 |
| 80+ | $ 210.4200 | $ 16833.6 |
Запасы: 2622
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 230.78
Общая стоимость :$ 230.78
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBRT30035R information
GeneSiC Semiconductor MBRT30035R технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:Three Tower
- Пакет устройств поставщика:Three Tower
- Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Schottky, Reverse Polarity
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:750 mV @ 150 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:1 mA @ 20 V
- Конфигурация диода:1 Pair Common Anode
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):35 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):150A
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 150°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBRT30035R предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
