Изображения предназначены только для справки.
1 : $1.3770
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor KBL408G
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
Производитель Модель :KBL408G
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :KBL408G-DS
Документация :
KBL408G Документация
KBL408G ДокументацияПользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 1.3770 | $ 1.38 |
| 10+ | $ 0.9540 | $ 9.54 |
| 25+ | $ 0.8334 | $ 20.84 |
| 100+ | $ 0.6714 | $ 67.14 |
| 250+ | $ 0.5814 | $ 145.35 |
Запасы: 10230
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.377
Общая стоимость :$ 1.38
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
KBL408G information
GeneSiC Semiconductor KBL408G технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-50°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:4-SIP, KBL
- Технологии:Standard
- Пакет устройств поставщика:KBL
- Тип диода:Single Phase
- Напряжение - пиковое обратное (макс.):800 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io):4 A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.1 V @ 4 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:5 µA @ 800 V
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KBL408G предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
