Изображения предназначены только для справки.
1 : $6.1830
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Производитель Модель :G3R350MT12J
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :G3R350MT12J-DS
Документация :
G3R350MT12J Документация
G3R350MT12J ДокументацияПользователи :
Описание : SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 6.1830 | $ 6.18 |
| 10+ | $ 5.5710 | $ 55.71 |
| 25+ | $ 5.0670 | $ 126.68 |
| 50+ | $ 4.7160 | $ 235.8 |
| 100+ | $ 4.4010 | $ 440.1 |
Запасы: 5694
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 6.183
Общая стоимость :$ 6.18
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
G3R350MT12J information
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力（最大）:75W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:420mOhm @ 4A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 2mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:334 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):±15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R350MT12J предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
