Изображения предназначены только для справки.
1 : $39.1410
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Производитель Модель :G3R20MT12N
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :G3R20MT12N-DS
Документация :
G3R20MT12N Документация
G3R20MT12N ДокументацияПользователи :
Описание : SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 39.1410 | $ 391.41 |
| 250+ | $ 38.6820 | $ 9670.5 |
Запасы: 3780
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 39.141
Общая стоимость :$ 39.14
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
G3R20MT12N information
GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- 消費電力（最大）:365W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:105A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:24mOhm @ 60A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 15mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:219 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5873 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):+20V, -10V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R20MT12N предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
