Обратная связь
日本語
default

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $395.0000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA

TRANS SJT 650V 4A TO276
part number has RoHS
Производитель Модель :2N7636-GA
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :2N7636-GA-DS
Документация :pdf download 2N7636-GA Документация
Пользователи :
Описание : TRANS SJT 650V 4A TO276
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 395.0000$ 3950
Запасы: 2030
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 395
Общая стоимость :$ 395.00
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

2N7636-GA information

  • GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-276AA
  • テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-276
  • 消費電力(最大):125W (Tc)
  • F E Tタイプ:-
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc) (165°C)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:415mOhm @ 4A
  • Vgs(th) (最大) @ Id:-
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:324 pF @ 35 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
  • Vgs (最大):-
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2N7636-GA предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ