Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $2040.0000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA

    DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :1N8033-GA
  • Производитель :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic :1N8033-GA-DS
  • Документация :pdf download 1N8033-GA Документация
  • Описание : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 2040Общая стоимость : $ 2040.00
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 1689
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
3 +$ 2040.0000$ 6120.00
5 +$ 1296.0000$ 6480.00
8 +$ 855.0000$ 6840.00
10 +$ 837.9000$ 8379.00

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-276AA
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-276
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):4.3A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.65 V @ 5 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:274pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 250°C
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ