/MFG_EPC2107_08.jpg)
Изображения предназначены только для справки.
1 : $1.8810
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
EPC EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Производитель Модель :EPC2108
Производитель :EPC
Dasenic :EPC2108-DS
Документация :
EPC2108 Документация
EPC2108 ДокументацияПользователи :
Описание : GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 1.8810 | $ 1.88 |
| 10+ | $ 1.2798 | $ 12.8 |
| 100+ | $ 1.8810 | $ 188.1 |
| 500+ | $ 0.7483 | $ 374.15 |
Запасы: 4596
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.881
Общая стоимость :$ 1.88
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
EPC2108 information
EPC EPC2108 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:9-VFBGA
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:9-BGA (1.35x1.35)
- F E Tタイプ:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
- F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V, 100V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.7A, 500mA
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
EPC2108 предоставлено EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
EPC Соответствующая продукция
/MFG_EPC2102_EPC2103_EPC2104.jpg)
/MFG_EPC2100_EPC2101_EPC2105.jpg)
/MFG_EPC2106_golden.jpg)
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
