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EIC SEMICONDUCTOR INC. HER108T/R
DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
Производитель Модель :HER108T/R
Производитель :EIC SEMICONDUCTOR INC.
Dasenic :HER108T/R-DS
Документация :
HER108T/R Документация
HER108T/R ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
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| Количество | цен | Общая стоимость |
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HER108T/R information
EIC SEMICONDUCTOR INC. HER108T/R технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:DO-204AL, DO-41, Axial
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-41
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):1A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 1 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 1000 V
- 静電容量 @ Vr、 F:50pF @ 4V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1000 V
- 逆回復時間 (trr):75 ns
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- HTS 米国:8541.10.0000
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HER108T/R предоставлено EIC SEMICONDUCTOR INC.
Electronics Industry Public Company Limited (EIC) は、ディスクリート半導体の大手国際メーカーおよびサプライヤーであり、50 種類を超えるパッケージ タイプで 15,000 を超える部品を提供しています。当社の製品カテゴリには、整流ダイオード、高速スイッチング/小信号ダイオード、ツェナー ダイオード、過渡電圧サプレッサ ダイオード、トランジスタなどがあります。EIC は、専用のウェーハ ファブと組み立て工場を含むエンドツーエンドの製造を通じて品質管理を確実に行っています。2007 年にはウェーハ ファブを拡張し、ダイとウェーハの形で製品を供給しています。当社は ISO 9001、ISO 14001、ISO/TS 16949 の認証を取得しており、製品は RoHS に準拠しています。EIC は、世界各地に営業所と効率的な物流拠点を持ち、迅速な技術サポートと製品配送を提供しています。EIC のエンジニアリング チームは、優れたディスクリート製品の開発に注力しており、特殊用途デバイスの研究開発に優れており、コスト効率と迅速な市場投入ソリューションを重視しています。
EIC SEMICONDUCTOR INC. Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
