Изображения предназначены только для справки.
1 : $1.3860
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GBPC3510W
BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Производитель Модель :GBPC3510W
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GBPC3510W-DS
Документация :
GBPC3510W Документация
GBPC3510W ДокументацияПользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 50+ | $ 1.3860 | $ 69.3 |
| 150+ | $ 1.3500 | $ 202.5 |
| 250+ | $ 1.3320 | $ 333 |
| 750+ | $ 1.2960 | $ 972 |
| 1250+ | $ 1.2690 | $ 1586.25 |
Запасы: 9049
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.386
Общая стоимость :$ 1.39
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GBPC3510W information
GeneSiC Semiconductor GBPC3510W технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-Square, GBPC-W
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:GBPC-W
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:1 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):35 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 17.5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 1000 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC3510W предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
