Изображения предназначены только для справки.
1 : $1.7910
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GBPC2501W
BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Производитель Модель :GBPC2501W
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GBPC2501W-DS
Документация :
GBPC2501W Документация
GBPC2501W ДокументацияПользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 1.7910 | $ 1.79 |
| 100+ | $ 1.4670 | $ 146.7 |
| 250+ | $ 1.3410 | $ 335.25 |
| 500+ | $ 1.2510 | $ 625.5 |
| 1000+ | $ 1.1610 | $ 1161 |
Запасы: 1585
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.791
Общая стоимость :$ 1.79
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GBPC2501W information
GeneSiC Semiconductor GBPC2501W технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-Square, GBPC-W
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:GBPC-W
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:50 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):25 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 12.5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 100 V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC2501W предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
