Обратная связь
日本語
default

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $2.2329

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

ISSI® IS43QR85120B-083RBL

4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s
part number has RoHS
Производитель Модель :IS43QR85120B-083RBL
Производитель :ISSI®
Dasenic :IS43QR85120B-083RBL-DS
Пользователи :
Описание : 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
7+$ 2.2329$ 15.63
10+$ 2.1883$ 21.88
100+$ 2.1213$ 212.13
500+$ 2.0543$ 1027.15
1000+$ 2.0096$ 2009.6
Запасы: 20385
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.2329
Общая стоимость :$ 2.23
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IS43QR85120B-083RBL information

  • ISSI® IS43QR85120B-083RBL технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:0°C ~ 95°C (TC)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:78-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM - DDR4
  • サプライヤーデバイスパッケージ:78-TWBGA (10x14)
  • メモリサイズ:4Gbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:1.14V ~ 1.26V
  • クロック周波数:1.2 GHz
  • アクセス時間:19 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:POD
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
  • 記憶の組織化:512M x 8
  • パッケージ:Bulk
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43QR85120B-083RBL предоставлено ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ