Изображения предназначены только для справки.
1 : $5.4216
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
IXYS DNA30E2200FE
DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
Производитель Модель :DNA30E2200FE
Производитель :IXYS
Dasenic :DNA30E2200FE-DS
Документация :
DNA30E2200FE Документация
DNA30E2200FE ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 5.4216 | $ 54.22 |
| 250+ | $ 4.5180 | $ 1129.5 |
| 500+ | $ 4.3146 | $ 2157.3 |
| 1000+ | $ 4.0482 | $ 4048.2 |
Запасы: 6300
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 5.4216
Общая стоимость :$ 5.42
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
DNA30E2200FE information
IXYS DNA30E2200FE технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-251-2, IPak
- サプライヤーデバイスパッケージ:i4-PAC
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):30A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.25 V @ 30 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:40 µA @ 2200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:7pF @ 700V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):2200 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DNA30E2200FE предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
