Изображения предназначены только для справки.
1 : $129.1869
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
IXYS DHG55I3300FE
POWER DIODE DISCRETES-SONIC I4-P
Производитель Модель :DHG55I3300FE
Производитель :IXYS
Dasenic :DHG55I3300FE-DS
Документация :
DHG55I3300FE Документация
DHG55I3300FE ДокументацияПользователи :
Описание : POWER DIODE DISCRETES-SONIC I4-P
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 129.1869 | $ 129.19 |
| 25+ | $ 120.7354 | $ 3018.39 |
Запасы: 2965
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 129.1869
Общая стоимость :$ 129.19
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
DHG55I3300FE information
IXYS DHG55I3300FE технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:i4-Pac™-5 (2 Leads)
- サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):50A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:3.4 V @ 60 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 3300 V
- 静電容量 @ Vr、 F:16pF @ 1.8kV, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):3300 V
- 逆回復時間 (trr):1.65 µs
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG55I3300FE предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
