Обратная связь
日本語
default

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $46.4880

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

ISSI® IS43LQ32256AL-062BLI-TR

8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
part number has RoHS
Производитель Модель :IS43LQ32256AL-062BLI-TR
Производитель :ISSI®
Dasenic :IS43LQ32256AL-062BLI-TR-DS
Пользователи :
Описание : 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 46.4880$ 464.88
250+$ 38.7400$ 9685
Запасы: 2837
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 46.488
Общая стоимость :$ 46.49
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IS43LQ32256AL-062BLI-TR information

  • ISSI® IS43LQ32256AL-062BLI-TR технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:200-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR4X
  • サプライヤーデバイスパッケージ:200-TFBGA (10x14.5)
  • メモリサイズ:8Gbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
  • クロック周波数:1.6 GHz
  • アクセス時間:3.5 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:LVSTL
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:18ns
  • 記憶の組織化:256M x 32
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LQ32256AL-062BLI-TR предоставлено ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ