Изображения предназначены только для справки.
1 : $19.7932
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
ISSI® IS25WP512M-RHLE-TR
512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x
Производитель Модель :IS25WP512M-RHLE-TR
Производитель :ISSI®
Dasenic :IS25WP512M-RHLE-TR-DS
Документация :
IS25WP512M-RHLE-TR Документация
IS25WP512M-RHLE-TR ДокументацияПользователи :
Описание : 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 19.7932 | $ 197.93 |
| 2500+ | $ 10.9962 | $ 27490.5 |
Запасы: 2098
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 19.7932
Общая стоимость :$ 19.79
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
IS25WP512M-RHLE-TR information
ISSI® IS25WP512M-RHLE-TR технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:24-TBGA
- テクノロジー:FLASH - NOR (SLC)
- サプライヤーデバイスパッケージ:24-TFBGA (6x8)
- メモリサイズ:512Mbit
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:112 MHz
- メモリフォーマット:Flash
- メモリインターフェース:SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:50µs, 1ms
- シリーズ:Automotive, AEC-Q100
- 記憶の組織化:64M x 8
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS25WP512M-RHLE-TR предоставлено ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Соответствующая продукция
/0b1a4a68251888013a955caffce872fd.jpg)
/cad6f38f615c25ea7ac257c2eff8ef8d.jpg)
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
