Обратная связь
Русский

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $18.8730

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
part number has RoHS
Производитель Модель :IGO60R070D1AUMA1
Производитель :Infineon Technologies
Dasenic :IGO60R070D1AUMA1-DS
Пользователи :
Описание : GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 18.8730$ 18.87
10+$ 17.6670$ 176.67
25+$ 16.2720$ 406.8
50+$ 15.1560$ 757.8
100+$ 13.8510$ 1385.1
Запасы: 4059
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 18.873
Общая стоимость :$ 18.87
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IGO60R070D1AUMA1 information

  • Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Статус продукта:Obsolete
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип крепления:Surface Mount
  • Упаковка / Кейс:20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
  • Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Пакет устройств поставщика:PG-DSO-20-85
  • Рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
  • Тип полевого транзистора:N-Channel
  • Особенность полевого транзистора:-
  • Напряжение сток-исток ( Vdss):600 V
  • Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:31A (Tc)
  • Rds On (макс.) @ Id, Vgs:-
  • Vgs(th) (Макс) @ Id:1.6V @ 2.6mA
  • Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:-
  • Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:380 pF @ 400 V
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):-
  • Vgs (макс.):-10V
  • Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
  • Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • Регламент REACH:REACH Unaffected
  • Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
  • ХТС США:8541.29.0095
  • Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IGO60R070D1AUMA1 предоставлено Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ