Изображения предназначены только для справки.
1 : $2.8600
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Производитель Модель :BSC750N10NDGATMA1
Производитель :Infineon Technologies
Dasenic :BSC750N10NDGATMA1-DS
Документация :
BSC750N10NDGATMA1 Документация
BSC750N10NDGATMA1 ДокументацияПользователи :
Описание : MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 2.8600 | $ 2.86 |
Запасы: 2434
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.86
Общая стоимость :$ 2.86
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
BSC750N10NDGATMA1 information
Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Статус продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:8-PowerVDFN
- Мощность - Макс.:26W
- Пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-4
- Тип полевого транзистора:2 N-Channel (Dual)
- Особенность полевого транзистора:Standard
- Напряжение сток-исток ( Vdss):100V
- Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:3.2A
- Rds On (макс.) @ Id, Vgs:75mOhm @ 13A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id:4V @ 12µA
- Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:11nC @ 10V
- Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:720pF @ 50V
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.29.0095
- Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BSC750N10NDGATMA1 предоставлено Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
