Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.0681
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Infineon Technologies BFR182E6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Производитель Модель :BFR182E6327HTSA1
Производитель :Infineon Technologies
Dasenic :BFR182E6327HTSA1-DS
Документация :
BFR182E6327HTSA1 Документация
BFR182E6327HTSA1 ДокументацияПользователи :
Описание : RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 76+ | $ 0.0681 | $ 5.18 |
Запасы: 12730
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.0681
Общая стоимость :$ 0.07
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
BFR182E6327HTSA1 information
Infineon Technologies BFR182E6327HTSA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Мощность - Макс.:250mW
- Пакет устройств поставщика:PG-SOT23
- Тип транзистора:NPN
- Ток - Коллектор ( Ic) (Макс.):35mA
- Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.):12V
- Коэффициент усиления постоянного тока (h F E) (мин.) при Ic, Vce:70 @ 10mA, 8V
- Частота - Переход:8GHz
- Коэффициент шума (дБ тип. при f):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- Прирост:12dB ~ 18dB
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BFR182E6327HTSA1 предоставлено Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
