Изображения предназначены только для справки.
1 : $153.2000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS
DIODE MODULE 100V 200A SOT227
Производитель Модель :MBR200100CTS
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBR200100CTS-DS
Документация :
MBR200100CTS Документация
MBR200100CTS ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE MODULE 100V 200A SOT227
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 4+ | $ 153.2000 | $ 612.8 |
| 7+ | $ 131.3200 | $ 919.24 |
| 10+ | $ 128.7000 | $ 1287 |
| 13+ | $ 126.1200 | $ 1639.56 |
Запасы: 981
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 153.2
Общая стоимость :$ 153.20
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBR200100CTS information
GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Screw Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:950 mV @ 100 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 80 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):100 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A (DC)
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBR200100CTS предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
