Изображения предназначены только для справки.
1 : $7.4160
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GBPC3506T
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC
Производитель Модель :GBPC3506T
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GBPC3506T-DS
Документация :
GBPC3506T Документация
GBPC3506T ДокументацияПользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 7.4160 | $ 74.16 |
| 250+ | $ 6.1800 | $ 1545 |
| 500+ | $ 5.8800 | $ 2940 |
| 1000+ | $ 5.6200 | $ 5620 |
Запасы: 1656
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 7.416
Общая стоимость :$ 7.42
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GBPC3506T information
GeneSiC Semiconductor GBPC3506T технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:QC Terminal
- Упаковка / Кейс:4-Square, GBPC
- Технологии:Standard
- Пакет устройств поставщика:GBPC
- Тип диода:Single Phase
- Напряжение - пиковое обратное (макс.):600 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io):35 A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.1 V @ 17.5 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:5 µA @ 600 V
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC3506T предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
