Изображения предназначены только для справки.
1 : $3.5640
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Alliance Memory AS7C31026B-10JIN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Производитель Модель :AS7C31026B-10JIN
Производитель :Alliance Memory
Dasenic :AS7C31026B-10JIN-DS
Документация :
AS7C31026B-10JIN Документация
AS7C31026B-10JIN ДокументацияПользователи :
Описание : IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 3.5640 | $ 3.56 |
| 5+ | $ 3.3390 | $ 16.7 |
| 32+ | $ 3.0870 | $ 98.78 |
| 96+ | $ 2.9070 | $ 279.07 |
| 256+ | $ 2.8080 | $ 718.85 |
Запасы: 1660
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 3.564
Общая стоимость :$ 3.56
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
AS7C31026B-10JIN information
Alliance Memory AS7C31026B-10JIN технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
- Технологии:SRAM - Asynchronous
- Пакет устройств поставщика:44-SOJ
- Размер памяти:1Mbit
- Тип памяти:Volatile
- Напряжение - Подача:3V ~ 3.6V
- Время доступа:10 ns
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Время цикла записи — слово, страница:10ns
- Организация памяти:64K x 16
- Упаковка:Tube
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:3A991B2B
- ХТС США:8542.32.0041
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS7C31026B-10JIN предоставлено Alliance Memory
Alliance Memory — это всемирный производитель без собственных производственных мощностей устаревших и новых технологических продуктов памяти, которые являются заменой микросхем SRAM, DRAM и NOR FLASH от Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix и других. Наша цель — установить долгосрочные отношения с клиентами и обеспечить долгосрочную поддержку для производимых нами деталей. Мы поставляем большую часть наших продуктов SRAM, DRAM и FLASH напрямую со склада, имеющегося в США, Шанхае и на Тайване. Наши конкурентоспособные цены, быстрое выполнение образцов и обслуживание клиентов и поддержка мирового класса сделали Alliance Memory надежным источником для растущего ассортимента необходимых микросхем памяти для рынков связи, вычислений, встраиваемых систем, Интернета вещей, промышленности и потребительских товаров. Alliance Memory, Inc. — частная компания со штаб-квартирой в Вашингтоне, США.
Alliance Memory Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
