Изображения предназначены только для справки.
1 : $4.2930
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Производитель Модель :AS5F12G04SND-10LIN
Производитель :Alliance Memory
Dasenic :AS5F12G04SND-10LIN-DS
Документация :
AS5F12G04SND-10LIN Документация
AS5F12G04SND-10LIN ДокументацияПользователи :
Описание : IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 4.2930 | $ 4.29 |
| 10+ | $ 3.7710 | $ 37.71 |
| 352+ | $ 3.7620 | $ 1324.22 |
Запасы: 3726
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 4.293
Общая стоимость :$ 4.29
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
AS5F12G04SND-10LIN information
Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:8-WLGA
- Технологии:FLASH - NAND (SLC)
- Пакет устройств поставщика:8-LGA (6x8)
- Размер памяти:2Gb (256M x 8)
- Тип памяти:Non-Volatile
- Напряжение - Подача:1.7V ~ 1.98V
- Тактовая частота:100 MHz
- Время доступа:-
- Формат памяти:Flash
- Интерфейс памяти:SPI - Quad I/O
- Время цикла записи — слово, страница:700µs
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS5F12G04SND-10LIN предоставлено Alliance Memory
Alliance Memory — это всемирный производитель без собственных производственных мощностей устаревших и новых технологических продуктов памяти, которые являются заменой микросхем SRAM, DRAM и NOR FLASH от Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix и других. Наша цель — установить долгосрочные отношения с клиентами и обеспечить долгосрочную поддержку для производимых нами деталей. Мы поставляем большую часть наших продуктов SRAM, DRAM и FLASH напрямую со склада, имеющегося в США, Шанхае и на Тайване. Наши конкурентоспособные цены, быстрое выполнение образцов и обслуживание клиентов и поддержка мирового класса сделали Alliance Memory надежным источником для растущего ассортимента необходимых микросхем памяти для рынков связи, вычислений, встраиваемых систем, Интернета вещей, промышленности и потребительских товаров. Alliance Memory, Inc. — частная компания со штаб-квартирой в Вашингтоне, США.
Alliance Memory Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
